立体構造へのパターニング

従来のウェット法では不可能だった、極小ギャップを持つ微小構造体の形成を可能にした犠牲層ドライエッチング技術です。

構造体にダメージを与えずに、シリコン酸化膜/多結晶シリコンなどの犠牲層をエッチングします。また、構造体のスティッキングを防止する撥水性コーティングまでを連続して処理することも可能です。

段差をまたいだ配線形状のプロセス例

（製作例：段差300μm、SU-8　50umｔ、100umL/S）

※より微細線幅、高段差に対応したプロセスを現在準備中