シリコン深堀り加工の特徴や開発期間などについて
Si基板に貫通孔を施し Cu-Niメッキ等の電極を形成する上で高アスペクト構造に 絶縁膜を形成する「貫通孔 内絶縁膜形成」が必要となります。このようなフィードスルー技術は付加価値の高いMEMSデバイスを実現する手段として注目されています。また、この絶縁膜形成技術はボッシュプロセスによって生じたスキャロップを平坦化することも可能となります。