犠牲層ドライエッチングの特徴や開発期間などについて
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犠牲層ドライエッチング
犠牲層ドライエッチング
特徴
従来のウェット法では不可能だった、極小ギャップを持つ微小構造体の形成 を可能にした犠牲層ドライエッチング技術です。 構造体にダメージを与えずに、シリコン酸化膜/多結晶シリコンなどの犠牲層をエッチングします。
また、構造体のスティッキングを防止する撥水性コーティングまでを連続して処理することも可能です。
酸化膜犠牲層エッチング加工例
酸化膜犠牲層エッチング加工例
加工断面
酸化膜犠牲層エッチング加工例