シリコン深堀り加工の特徴や開発期間などについて

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シリコン深堀り加工

オーダーメイド開発・試作をご検討のお客様へ

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特徴

Si基板に貫通孔を施し Cu-Niメッキ等の電極を形成する上で高アスペクト構造に 絶縁膜を形成する「貫通孔 内絶縁膜形成」が必要となります。このようなフィードスルー技術は付加価値の高いMEMSデバイスを実現する手段として注目されています。また、この絶縁膜形成技術はボッシュプロセスによって生じたスキャロップを平坦化することも可能となります。

Si 深堀り加工

Si Deep RIE 加工例

Si Deep RIE 加工例
Si Deep RIE 加工例

貫通孔絶縁膜形成

Si Deep RIE 加工例

Si Deep RIE 加工例

SOI基板の犠牲層エッチング後に
絶縁膜を形成した例

SOI基板の犠牲層エッチング後に絶縁膜を形成した例

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