MEMS開発受託サービス


犠牲層ドライエッチング

  従来のウェット法では不可能だった、極小ギャップを持つ微小構造体の形成 を可能にした犠牲層

  ドライエッチング技術です。

  構造体にダメージを与えずに、シリコン酸化膜/多結晶シリコンなどの犠牲層をエッチングします。

  また、構造体のスティッキングを防止する撥水性コーティングまでを連続して処理することも可能です。
  ■酸化膜犠牲層エッチング加工例   ■酸化膜犠牲層エッチング加工例 加工断面
  ■シリコン犠牲層エッチング加工例  
 

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