MEMS開発受託サービス


メムス・コアの試作プロセスメニュー

 
 分 類  工 程  プロセス材料 ・ 装置
 成 膜

 絶縁膜形成
 (SiO2、NSG、PSG)

酸化炉、AP-CVD、P-TEOS
 金属膜形成
 (Au、Pt、Cr、Ti、Cu、他)
スパッタ、EB蒸着、MOCVD、めっき
 フォトリソ  レジスト塗布
 露光
 現像
スピンナー、スプレーコーター(立上げ中)、ラミネーター
両面アライナー、直接露光装置、パターンジェネレーター
 マスク製造
 (Crマスク)
CAD、パターンジェネレーター
 エッチング  ドライエッチング
 (Si、SiO2)
Deep RIE、RIE、ICP-RIE、犠牲層(SiO2、Si)
イオンミリング、O2アッシャー
 ウエットエッチング
 (Si、SiO2、各種金属)
TMAH、KOH、各種金属膜エッチング液
 接 合  ウエハ接合 陽極接合、熱圧着接合
 実 装  ウエハ切断 ダイシングソー
 ボンディング ワイヤーボンダー
 研 磨  ウエハ研磨 CMP、CMP後洗浄
 評 価   干渉式膜厚測定器、触針式段差測定器、SEM
シート抵抗測定器、応力測定器、測定顕微鏡
レーザー顕微鏡
 他ドライ処理  洗浄、表面改質 UV/O3処理、常圧プラズマ表面処理、HMDS塗布
※装置により4インチまたは6インチに対応いたします。
 
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